Полевой транзистор MOSFET N-канальный IRF630NPBF от Infineon Technologies - это высокопроизводительный компонент, предназначенный для использования в различных электронных устройствах. Данная модель отличается надежностью, высокими показателями коммутационной способности и эффективностью преобразования энергии.

Транзистор IRF630NPBF характеризуется максимальным напряжением сток-исток 200 В, максимальным током стока 9,3 А и низким сопротивлением открытого канала 0,3 Ом. Благодаря этим параметрам, он способен обеспечивать высокую мощность до 82 Вт, что делает его отличным выбором для применения в силовой электронике, импульсных источниках питания, регуляторах напряжения и других устройствах, требующих надежных коммутационных компонентов.

• Напряжение исток-сток макс.: 200В
• Ток стока макс.: 9.3A
• Сопротивление открытого канала: 300 мОм
• Мощность макс.: 82Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 35нКл
• Входная емкость: 575пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.9 г

Полевой транзистор IRF630NPBF широко используется в различных областях электроники, включая силовые преобразователи, регуляторы напряжения, инверторы, импульсные источники питания и другие устройства, где требуется надежный коммутационный элемент с высокой мощностью и эффективностью. Благодаря своим характеристикам, данный транзистор является отличным выбором для инженеров и разработчиков, работающих над проектами в сфере промышленной электроники, бытовой техники, автомобильной электроники и многих других.