Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор IRF640NPBF от компании Infineon Technologies. Этот мощный N-канальный MOSFET транзистор отличается широким спектром применения в различных электронных схемах и устройствах.

Ключевые характеристики данного транзистора:

• Напряжение исток-сток макс.: 200В
• Ток стока макс.: 18A
• Сопротивление открытого канала: 150 мОм
• Мощность макс.: 150Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 67нКл
• Входная емкость: 1160пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.72 г.
• Описание Eng: MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Данный транзистор широко применяется в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, регуляторы напряжения, инверторы, усилители мощности и другие устройства, где требуется высокая надежность и эффективность работы компонентов. Благодаря своим превосходным характеристикам, IRF640NPBF является отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать надежные и высокопроизводительные электронные решения.