IRF3710SPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57А 200Вт, 0.025 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 57A |
| Сопротивление открытого канала: | 23 мОм |
| Мощность макс.: | 200Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 130нКл |
| Входная емкость: | 3130пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 2.24 г. |
| Наименование: | IRF3710SPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
IRF3710SPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57А 200Вт, 0.025 Ом - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.