IRF7853PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3А 2.5Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 8.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 18 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.9В |
| Заряд затвора: | 39нКл |
| Входная емкость: | 1640пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | IRF7853PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 95 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
IRF7853PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3А 2.5Вт - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.