IRF1010NSPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75А 180Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 85A |
| Сопротивление открытого канала: | 11 мОм |
| Мощность макс.: | 180Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 120нКл |
| Входная емкость: | 3210пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 2.3 г. |
| Наименование: | IRF1010NSPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-Ch 55V 75A 180W 0,011 Om |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
IRF1010NSPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75А 180Вт - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.