IRLR3717TRRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 120A DPAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 120A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 4 мОм @ 15А, 10В |
| Мощность макс.: | 89Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.45В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 31нКл @ 4.5В |
| Входная емкость: | 2830пФ @ 10В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IRLR3717TRRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 120A DPAK |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
| Корпус: | D-Pak |
Описание
IRLR3717TRRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 120A DPAK - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4 мОм @ 15А, 10В Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.