IRFR15N20DPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 17 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 17A |
| Сопротивление открытого канала: | 165 мОм |
| Мощность макс.: | 3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5.5В |
| Заряд затвора: | 41нКл |
| Входная емкость: | 910пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.71 г. |
| Наименование: | IRFR15N20DPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 17A DPAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 75 шт. |
Описание
Компонент IRFR15N20DPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 17 А - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.