FDP80N06, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A TO-220
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 80A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 10 мОм @ 40А, 10В |
| Мощность макс.: | 176Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 74нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 3190пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FDP80N06 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
FDP80N06, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A TO-220 - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 80A(Tc) Сопротивление открытого канала: 10 мОм @ 40А, 10В Мощность макс.: 176Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.