NVD3055L170T4G, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 9A |
| Сопротивление открытого канала: | 170 мОм |
| Мощность макс.: | 1.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Automotive, Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 10нКл |
| Входная емкость: | 275пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | NVD3055L170T4G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
NVD3055L170T4G, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.