• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

FDD5N60NZTM, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ON Semiconductor
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:600В
Ток стока макс.:4A
Сопротивление открытого канала:2 Ом
Мощность макс.:83Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:13нКл
Входная емкость:600пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:DPAK/TO-252AA
Наименование:FDD5N60NZTM
Производитель:ON Semiconductor
Описание Eng:MOSFET N-CH 600V DPAK-3
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:2500 шт.

Описание

FDD5N60NZTM, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.

Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.

Основные параметры:

  • Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.:

Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.

Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.