NTR1P02LT3G, Транзистор полевой P-канальный 20В 1.3A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 1.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 220 мОм |
| Мощность макс.: | 400мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.25В |
| Заряд затвора: | 5.5нКл |
| Входная емкость: | 225пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Наименование: | NTR1P02LT3G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 10000 шт |
Описание
Компонент NTR1P02LT3G, Транзистор полевой P-канальный 20В 1.3A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.