Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET модели IPP80R1K4P7XKSA1 от компании Infineon Technologies. Данный компонент отличается надежностью, высокими рабочими характеристиками и широким спектром применения в современной электронике.

Транзистор IPP80R1K4P7XKSA1 относится к категории одиночных N-канальных MOSFET транзисторов и обладает следующими ключевыми техническими характеристиками:

• Напряжение исток-сток макс.: 800В
• Ток стока макс.: 4A
• Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом
• Мощность макс.: 32Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
• Заряд затвора: 10нКл
• Входная емкость: 250пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220
• Вес брутто: 2.85 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 500 шт

Транзистор IPP80R1K4P7XKSA1 находит широкое применение в различных областях электроники, включая системы управления двигателями, источники питания, преобразователи напряжения, инверторы и другие устройства, требующие высокого напряжения и тока. Благодаря своим техническим характеристикам, данный компонент идеально подходит для использования в промышленном, бытовом и автомобильном оборудовании.