IRFI4510GPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 35A |
| Сопротивление открытого канала: | 13.5 мОм |
| Мощность макс.: | 42Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 81нКл |
| Входная емкость: | 2998пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB Full-Pak |
| Наименование: | IRFI4510GPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N CH 100V 35A TO220 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Компонент IRFI4510GPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.