IRFI1310NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 24А 56Вт, 0.036 Ом
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 24A |
| Сопротивление открытого канала: | 36 мОм |
| Мощность макс.: | 56Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 120нКл |
| Входная емкость: | 1900пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | IRFI1310NPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор IRFI1310NPBF от компании Infineon Technologies. Этот мощный N-канальный MOSFET-транзистор предназначен для широкого спектра применений в электронной промышленности, отличаясь превосходными характеристиками и надежностью.
Транзистор IRFI1310NPBF отличается высоким напряжением сток-исток (до 100 В), максимальным током стока до 24 А и низким сопротивлением открытого канала всего 36 мОм. Эти параметры делают его идеальным выбором для использования в высокомощных переключающих схемах, источниках питания, инверторах и других энергоэффективных устройствах.
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Ток стока макс.: 24A
- Сопротивление открытого канала: 36 мОм
- Мощность макс.: 56Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 120нКл
- Входная емкость: 1900пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220F
- Вес брутто: 3.5 г
Транзистор IRFI1310NPBF от Infineon Technologies отлично подходит для использования в различных высокомощных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, регуляторы мощности, а также в промышленном, бытовом и автомобильном оборудовании. Благодаря своим выдающимся характеристикам и надежности, этот транзистор является отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать энергоэффективные и высокопроизводительные электронные решения.