IRLMS2002TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.5А 2Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 6.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 30 мОм |
| Мощность макс.: | 2Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.2В |
| Заряд затвора: | 22нКл |
| Входная емкость: | 1310пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | TSOP-6 |
| Вес брутто: | 0.07 г. |
| Наименование: | IRLMS2002TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP, 2W |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канала IRLMS2002TRPBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот компонент отличается надежностью, высокой производительностью и широким спектром применения в современной электронике.
Ключевые характеристики данного транзистора:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В
- Ток стока макс.: 6.5A
- Сопротивление открытого канала: 30 мОм
- Мощность макс.: 2Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive
- Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В
- Заряд затвора: 22нКл
- Входная емкость: 1310пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: TSOP-6
- Вес брутто: 0.07 г.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP, 2W
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 3000 шт
Данный транзистор IRLMS2002TRPBF от Infineon Technologies находит широкое применение в различных областях электроники, таких как: блоки питания, преобразователи напряжения, схемы управления двигателями, усилители мощности и многое другое. Его высокие характеристики и надежность делают его незаменимым компонентом для современных электронных устройств.