IRFR9N20DPBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 9.4А 86Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 9.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 380 мОм |
| Мощность макс.: | 86Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5.5В |
| Заряд затвора: | 27нКл |
| Входная емкость: | 560пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.66 г. |
| Наименование: | IRFR9N20DPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 75 шт |
Описание
IRFR9N20DPBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 9.4А 86Вт - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.4A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 86Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.