IRFS3006PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 195A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.5 мОм |
| Мощность макс.: | 375Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 300нКл |
| Входная емкость: | 8970пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.35 г. |
| Наименование: | IRFS3006PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
IRFS3006PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.