FDMC86260, Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 5.4 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 5.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 34 мОм |
| Мощность макс.: | 2.3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 21нКл |
| Входная емкость: | 1330пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.1 г. |
| Наименование: | FDMC86260 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
| Корпус: | Power33 |
Описание
FDMC86260, Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 5.4 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.