FDC5614P, Транзистор полевой P-канальный 60В 3A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 3A |
| Сопротивление открытого канала: | 105 мОм |
| Мощность макс.: | 800мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 24нКл |
| Входная емкость: | 759пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SSOT6 |
| Вес брутто: | 0.02 г. |
| Наименование: | FDC5614P |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
FDC5614P, Транзистор полевой P-канальный 60В 3A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.