IRF6641TRPBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 4.6А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 4.6A(Ta),26A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 59.9 мОм @ 5.5А, 10В |
| Мощность макс.: | 2.8Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.9В @ 150 µA |
| Заряд затвора: | 48нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 2290пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IRF6641TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET |
| Нормоупаковка: | 4800 шт. |
| Корпус: | DIRECTFET[тм] MZ |
Описание
Техническое описание: IRF6641TRPBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 4.6А. Категория: электронные компоненты. Производитель: Infineon Technologies.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 150 µA
- Производитель: Infineon Technologies
- Сопротивление открытого канала: 59.9 мОм @ 5.5А, 10В
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал
- Ток стока макс.: 4.6A(Ta),26A(Tc)
- Входная емкость: 2290пФ @ 25В
- Заряд затвора: 48нКл @ 10В