• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRFS4229TRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 45А 330Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:250В
Ток стока макс.:45A(Tc)
Сопротивление открытого канала:48 мОм @ 26А, 10В
Мощность макс.:330Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Standard
Пороговое напряжение включения макс.:5В @ 250 µA
Заряд затвора:110нКл @ 10В
Входная емкость:4560пФ @ 25В
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:D2Pak (TO-263)
Вес брутто:1.35 г.
Наименование:IRFS4229TRLPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:800 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канального типа от компании Infineon Technologies - IRFS4229TRLPBF. Данная модель отличается надежностью, высокой мощностью и широким диапазоном рабочих параметров, что делает ее незаменимым компонентом в самых разнообразных электронных устройствах.

Транзистор IRFS4229TRLPBF обладает превосходными техническими характеристиками, позволяющими использовать его в широком спектре применений, от мощных преобразователей и инверторов до систем управления двигателями и источников питания.

  • Напряжение исток-сток макс.: 250В
  • Ток стока макс.: 45A (при температуре корпуса Tc)
  • Сопротивление открытого канала: 48 мОм @ 26А, 10В
  • Мощность макс.: 330Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 мкА
  • Заряд затвора: 110нКл @ 10В
  • Входная емкость: 4560пФ @ 25В
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: D2Pak (TO-263)
  • Вес брутто: 1.35 г

Транзистор IRFS4229TRLPBF идеально подходит для использования в различных силовых электронных схемах, таких как импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока, инверторы для солнечных панелей, системы управления двигателями и многое другое. Его высокая надежность и стабильность характеристик делают его незаменимым компонентом при разработке современных электронных устройств.