IRFS4229TRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 45А 330Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 250В |
| Ток стока макс.: | 45A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 48 мОм @ 26А, 10В |
| Мощность макс.: | 330Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 110нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 4560пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.35 г. |
| Наименование: | IRFS4229TRLPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канального типа от компании Infineon Technologies - IRFS4229TRLPBF. Данная модель отличается надежностью, высокой мощностью и широким диапазоном рабочих параметров, что делает ее незаменимым компонентом в самых разнообразных электронных устройствах.
Транзистор IRFS4229TRLPBF обладает превосходными техническими характеристиками, позволяющими использовать его в широком спектре применений, от мощных преобразователей и инверторов до систем управления двигателями и источников питания.
- Напряжение исток-сток макс.: 250В
- Ток стока макс.: 45A (при температуре корпуса Tc)
- Сопротивление открытого канала: 48 мОм @ 26А, 10В
- Мощность макс.: 330Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 мкА
- Заряд затвора: 110нКл @ 10В
- Входная емкость: 4560пФ @ 25В
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Вес брутто: 1.35 г
Транзистор IRFS4229TRLPBF идеально подходит для использования в различных силовых электронных схемах, таких как импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока, инверторы для солнечных панелей, системы управления двигателями и многое другое. Его высокая надежность и стабильность характеристик делают его незаменимым компонентом при разработке современных электронных устройств.