IRFS3207ZPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 75В |
| Ток стока макс.: | 120A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 4.1 мОм @ 75А, 10В |
| Мощность макс.: | 300Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 150 µA |
| Заряд затвора: | 170нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 6920пФ @ 50В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Вес брутто: | 1.35 г. |
| Наименование: | IRFS3207ZPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK |
| Нормоупаковка: | 1000 шт. |
Описание
IRFS3207ZPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: Infineon Technologies.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Корпус: D2PAK/TO263
- Мощность макс.: 300Вт
- Наименование: IRFS3207ZPBF
- Напряжение исток-сток макс.: 75В
- Нормоупаковка: 1000 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA