RFP12N10L, Транзистор полевой N-канальный 100В 12A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 12A |
| Сопротивление открытого канала: | 200 мОм |
| Мощность макс.: | 60Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Входная емкость: | 900пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Наименование: | RFP12N10L |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
Компонент RFP12N10L, Транзистор полевой N-канальный 100В 12A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.