IRF7807APBF, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.3 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 8.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 25 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 17нКл |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | IRF7807APBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 95 шт. |
Описание
Компонент IRF7807APBF, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.3 А (Infineon Technologies), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Пороговое напряжение включения макс.: 1В
- Производитель: Infineon Technologies
- Сопротивление открытого канала: 25 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Ток стока макс.: 8.3A
- Вес брутто: 0.2 г.