IRFSL3306PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO-262
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 120A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 4.2 мОм @ 75А, 10В |
| Мощность макс.: | 230Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 150 µA |
| Заряд затвора: | 120нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 4520пФ @ 50В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | I2PAK |
| Наименование: | IRFSL3306PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 120A TO-262 |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
Компонент IRFSL3306PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO-262 (Infineon Technologies), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В
- Нормоупаковка: 50 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
- Особенности: Standard
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA
- Производитель: Infineon Technologies
- Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм @ 75А, 10В
- Тип монтажа: Through Hole