IRFH4210DTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 44A 8PQFN
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 25В |
| Ток стока макс.: | 44A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 1.10 мОм @ 50А, 10В |
| Мощность макс.: | 3.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.1В @ 100 µA |
| Заряд затвора: | 77нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 4812пФ @ 13В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | Power56 |
| Наименование: | IRFH4210DTRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN |
| Нормоупаковка: | 4000 шт. |
Описание
IRFH4210DTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 44A 8PQFN — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: Infineon Technologies.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Наименование: IRFH4210DTRPBF
- Напряжение исток-сток макс.: 25В
- Нормоупаковка: 4000 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 100 µA
- Производитель: Infineon Technologies
- Сопротивление открытого канала: 1.10 мОм @ 50А, 10В