IRFH5006TRPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 21A |
| Сопротивление открытого канала: | 4.1 мОм |
| Мощность макс.: | 3.6Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 100нКл |
| Входная емкость: | 4175пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | Power56 |
| Наименование: | IRFH5006TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт. |
Описание
IRFH5006TRPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.