IRFIB5N65APBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 5.1A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 5.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 930 мОм |
| Мощность макс.: | 60Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 48нКл |
| Входная емкость: | 1417пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | IRFIB5N65APBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Компонент IRFIB5N65APBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 5.1A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 930 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Vishay. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.