IPD80R3K3P7ATMA1, Транзистор полевой N-канальный 800В 1.9A TO252-3
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 1.9A |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPD80R3K3P7ATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
IPD80R3K3P7ATMA1, Транзистор полевой N-канальный 800В 1.9A TO252-3 - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.9A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount Наименование: IPD80R3K3P7ATMA1 Производитель: Infineon Technologies
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.