IRFI540NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 54Вт, 0.052 Ом
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 20A |
| Сопротивление открытого канала: | 52 мОм |
| Мощность макс.: | 54Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 94нКл |
| Входная емкость: | 1400пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 2.9 г. |
| Наименование: | IRFI540NPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала IRFI540NPBF от компании Infineon Technologies. Этот транзистор отличается превосходными характеристиками и надежностью, что делает его отличным выбором для широкого спектра электронных устройств.
IRFI540NPBF обладает максимальным напряжением сток-исток 100В, максимальным током стока 20А и сопротивлением открытого канала всего 52 мОм. Это позволяет ему эффективно управлять мощными нагрузками при высоких напряжениях, обеспечивая при этом низкие потери на проводимость. Кроме того, транзистор может рассеивать до 54Вт тепловой мощности, что делает его отличным выбором для применений, требующих высокую производительность.
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Ток стока макс.: 20А
- Сопротивление открытого канала: 52 мОм
- Мощность макс.: 54Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 94нКл
- Входная емкость: 1400пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220F
- Вес брутто: 2.9 г
Благодаря своим характеристикам, IRFI540NPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, регуляторы мощности, приводы двигателей и многие другие устройства, требующие высокую производительность и надежность. Этот транзистор является отличным выбором для инженеров, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные системы.