Представляем вашему вниманию полевой MOSFET транзистор IRF200B211 производства Infineon Technologies – надежное и высокопроизводительное решение для широкого спектра электронных схем и устройств. Этот мощный N-канальный транзистор обладает отличными характеристиками и предназначен для использования в различных областях электроники.

Основные характеристики транзистора IRF200B211:

• Напряжение исток-сток макс.: 200В
• Ток стока макс.: 12А
• Мощность макс.: 80Вт
• Тип транзистора: N-канальный
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220 Isolated Tab
• Вес брутто: 2.7 г.
• Описание Eng: MOSFET, N-CH, 200V, 12A, TO-220AB
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Транзистор IRF200B211 отлично подходит для использования в различных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, инверторы, коммутаторы, усилители мощности и другие схемы, где требуется высокая коммутационная способность и надежность. Его характеристики делают его идеальным выбором для применения в промышленной, бытовой и автомобильной электронике.