Высокопроизводительный MOSFET транзистор IRLB8314PBF от Infineon Technologies предназначен для широкого спектра применений, где требуется надежное и эффективное управление электрическими цепями с высокими токами и напряжениями. Этот компонент отличается превосходными характеристиками и надежностью, что делает его идеальным выбором для использования в различных электронных устройствах и системах.

Основные технические характеристики транзистора IRLB8314PBF:

• Напряжение исток-сток макс.: 30В
• Ток стока макс.: 130A(Tc)
• Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм @ 68А, 10В
• Мощность макс.: 125Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В @ 100 µA
• Заряд затвора: 60нКл @ 4.5В
• Входная емкость: 5050пФ @ 15В
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220-3

Транзистор IRLB8314PBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая силовую электронику, промышленную автоматизацию, системы управления двигателями, импульсные источники питания и многое другое. Его высокая производительность, низкое сопротивление открытого канала и высокая надежность делают его идеальным выбором для задач, где требуется эффективное управление электрическими цепями с высокими токами и напряжениями.