IRFR1018EPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 56A |
| Сопротивление открытого канала: | 8.4 мОм |
| Мощность макс.: | 110Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 69нКл |
| Входная емкость: | 2290пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.71 г. |
| Наименование: | IRFR1018EPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 79A DPAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 75 шт |
Описание
Компонент IRFR1018EPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 8.4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.