FDP8870, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 156 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 19A |
| Сопротивление открытого канала: | 4.1 мОм |
| Мощность макс.: | 160Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 132нКл |
| Входная емкость: | 5200пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FDP8870 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
FDP8870, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 156 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.