CSD16401Q5, Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 100 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Texas Instruments |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 25В |
| Ток стока макс.: | 38A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.6 мОм |
| Мощность макс.: | 3.1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.9В |
| Заряд затвора: | 29нКл |
| Входная емкость: | 4100пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SON8 |
| Наименование: | CSD16401Q5 |
| Производитель: | Texas Instruments |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
CSD16401Q5, Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 100 А — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: Texas Instruments.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 38A
- Входная емкость: 4100пФ
- Заряд затвора: 29нКл
- Корпус: SON8
- Мощность макс.: 3.1Вт
- Наименование: CSD16401Q5