SI4435DY, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 8.8 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30V |
| Ток стока макс.: | 8.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 20 mOhm |
| Мощность макс.: | 1W |
| Тип транзистора: | P-Channel |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3V |
| Заряд затвора: | 24nC |
| Входная емкость: | 1604pF |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8N |
| Наименование: | SI4435DY |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
SI4435DY, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 8.8 А — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Корпус: SOIC8N
- Мощность макс.: 1W
- Наименование: SI4435DY
- Напряжение исток-сток макс.: 30V
- Нормоупаковка: 2500 шт.
- Описание Eng: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 3V