SI4825DDY-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 14.9 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 14.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 12.5 мОм |
| Мощность макс.: | 5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 86нКл |
| Входная емкость: | 2550пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | SI4825DDY-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Компонент SI4825DDY-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 14.9 А (Vishay), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 14.9A
- Вес брутто: 0.2 г.
- Входная емкость: 2550пФ
- Заряд затвора: 86нКл
- Корпус: SOIC8
- Мощность макс.: 5Вт
- Наименование: SI4825DDY-T1-GE3