Представляем вашему вниманию MOSFET-транзистор IRFR5410PBF от компании Infineon Technologies - высокопроизводительный полевой транзистор с P-каналом, рассчитанный на напряжение до 100 В и ток стока до 13 А. Этот мощный компонент отличается низким сопротивлением открытого канала всего 0,205 Ом, что обеспечивает высокую эффективность и малые потери в различных силовых схемах.

IRFR5410PBF выполнен в компактном поверхностно-монтируемом корпусе DPAK/TO-252AA и подходит для широкого спектра применений, от импульсных источников питания и преобразователей напряжения до мощных усилителей и коммутирующих устройств. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для разработчиков, стремящихся повысить эффективность и плотность компоновки своих электронных устройств.

• Напряжение исток-сток макс.: 100В
• Ток стока макс.: 13A
• Сопротивление открытого канала: 205 мОм
• Мощность макс.: 66Вт
• Тип транзистора: P-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 58нКл
• Входная емкость: 760пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: DPAK/TO-252AA
• Вес брутто: 0.28 г.

Благодаря своим характеристикам, IRFR5410PBF идеально подходит для использования в различных силовых схемах, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, мощные усилители, коммутирующие устройства и многое другое. Этот транзистор обеспечивает высокую эффективность и надежность в широком диапазоне рабочих условий, что делает его отличным выбором для современных электронных разработок.