• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRLML6344TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5А 1.3Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:30В
Ток стока макс.:5A
Сопротивление открытого канала:29 мОм
Мощность макс.:1.3Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:1.1В
Заряд затвора:6.8нКл
Входная емкость:650пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Вес брутто:0.06 г.
Наименование:IRLML6344TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 30V 5A SOT23
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:3000 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высококачественный MOSFET-транзистор IRLML6344TRPBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Данный компонент отличается надежностью, высокой производительностью и эффективностью, что делает его отличным выбором для широкого спектра электронных устройств и применений.

IRLML6344TRPBF - это N-канальный полевой транзистор с логическим уровнем управления затвором, способный выдерживать максимальное напряжение сток-исток до 30В и пропускать ток стока до 5А. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 29 мОм и малой мощности рассеяния в 1.3Вт, этот транзистор обеспечивает высокую энергоэффективность и низкие тепловые потери в различных схемах.

  • Напряжение исток-сток макс.: 30В
  • Ток стока макс.: 5A
  • Сопротивление открытого канала: 29 мОм
  • Мощность макс.: 1.3Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В
  • Заряд затвора: 6.8нКл
  • Входная емкость: 650пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)

Благодаря своим характеристикам, IRLML6344TRPBF находит широкое применение в различных электронных схемах и устройствах, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, драйверы двигателей, схемы управления и коммутации, а также в других областях силовой электроники и промышленной автоматизации. Этот транзистор является отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся к повышению эффективности, надежности и компактности своих проектов.