IRLML6344TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5А 1.3Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 5A |
| Сопротивление открытого канала: | 29 мОм |
| Мощность макс.: | 1.3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.1В |
| Заряд затвора: | 6.8нКл |
| Входная емкость: | 650пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) |
| Вес брутто: | 0.06 г. |
| Наименование: | IRLML6344TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 5A SOT23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный MOSFET-транзистор IRLML6344TRPBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Данный компонент отличается надежностью, высокой производительностью и эффективностью, что делает его отличным выбором для широкого спектра электронных устройств и применений.
IRLML6344TRPBF - это N-канальный полевой транзистор с логическим уровнем управления затвором, способный выдерживать максимальное напряжение сток-исток до 30В и пропускать ток стока до 5А. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 29 мОм и малой мощности рассеяния в 1.3Вт, этот транзистор обеспечивает высокую энергоэффективность и низкие тепловые потери в различных схемах.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 5A
- Сопротивление открытого канала: 29 мОм
- Мощность макс.: 1.3Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В
- Заряд затвора: 6.8нКл
- Входная емкость: 650пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Благодаря своим характеристикам, IRLML6344TRPBF находит широкое применение в различных электронных схемах и устройствах, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, драйверы двигателей, схемы управления и коммутации, а также в других областях силовой электроники и промышленной автоматизации. Этот транзистор является отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся к повышению эффективности, надежности и компактности своих проектов.