• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRLML0030TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.3Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:30В
Ток стока макс.:5.3A
Сопротивление открытого канала:27 мОм
Мощность макс.:1.3Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:2.3В
Заряд затвора:2.6нКл
Входная емкость:382пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Вес брутто:0.05 г.
Наименование:IRLML0030TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 30V 5.3A, 1.3W
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:3000 шт

Описание

Представляем вашему вниманию транзистор IRLML0030TRPBF от известного производителя Infineon Technologies. Этот мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET обладает рядом важных технических характеристик, которые делают его незаменимым компонентом в различных электронных схемах.

Транзистор IRLML0030TRPBF отличается высокой надежностью и эффективностью, что позволяет использовать его в широком спектре применений, от простых переключающих устройств до сложных силовых схем. Его компактный корпус Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) обеспечивает удобство монтажа на печатные платы.

  • Напряжение исток-сток макс.: 30В
  • Ток стока макс.: 5.3A
  • Сопротивление открытого канала: 27 мОм
  • Мощность макс.: 1.3Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
  • Заряд затвора: 2.6нКл
  • Входная емкость: 382пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
  • Вес брутто: 0.05 г

Транзистор IRLML0030TRPBF находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как регуляторы напряжения, усилители мощности, ключевые схемы, а также в системах управления двигателями и освещением. Его высокие характеристики и надежность делают его отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные системы.