IRLML0030TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.3Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 5.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 27 мОм |
| Мощность макс.: | 1.3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.3В |
| Заряд затвора: | 2.6нКл |
| Входная емкость: | 382пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) |
| Вес брутто: | 0.05 г. |
| Наименование: | IRLML0030TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 5.3A, 1.3W |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию транзистор IRLML0030TRPBF от известного производителя Infineon Technologies. Этот мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET обладает рядом важных технических характеристик, которые делают его незаменимым компонентом в различных электронных схемах.
Транзистор IRLML0030TRPBF отличается высокой надежностью и эффективностью, что позволяет использовать его в широком спектре применений, от простых переключающих устройств до сложных силовых схем. Его компактный корпус Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) обеспечивает удобство монтажа на печатные платы.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 5.3A
- Сопротивление открытого канала: 27 мОм
- Мощность макс.: 1.3Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
- Заряд затвора: 2.6нКл
- Входная емкость: 382пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
- Вес брутто: 0.05 г
Транзистор IRLML0030TRPBF находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как регуляторы напряжения, усилители мощности, ключевые схемы, а также в системах управления двигателями и освещением. Его высокие характеристики и надежность делают его отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные системы.