FQU1N80TU, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1A IPAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 1A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 20 Ом @ 500mА, 10В |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 7.2нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 195пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Наименование: | FQU1N80TU |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 800V 1A IPAK |
| Нормоупаковка: | 70 шт. |
| Корпус: | I-Pak |
Описание
FQU1N80TU, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1A IPAK - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1A(Tc) Сопротивление открытого канала: 20 Ом @ 500mА, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.