• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRLML6246TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3Вт, 4.1A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:20В
Ток стока макс.:4.1A
Сопротивление открытого канала:46 мОм
Мощность макс.:1.3Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:1.1В
Заряд затвора:3.5нКл
Входная емкость:290пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Вес брутто:0.07 г.
Наименование:IRLML6246TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 20V 1.3W 4.1A SOT-23
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:3000 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канальный IRLML6246TRPBF от компании Infineon Technologies. Этот компонент отличается превосходными характеристиками и широкими возможностями применения в современной электронике.

Транзистор IRLML6246TRPBF обладает максимальным напряжением сток-исток 20В, максимальным током стока 4.1А и сопротивлением открытого канала всего 46 мОм. Данные параметры обеспечивают эффективную коммутацию и управление мощными нагрузками. Кроме того, устройство имеет максимальную рассеиваемую мощность 1.3Вт, что делает его идеальным решением для широкого спектра применений.

  • Напряжение исток-сток макс.: 20В
  • Ток стока макс.: 4.1А
  • Сопротивление открытого канала: 46 мОм
  • Мощность макс.: 1.3Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В
  • Заряд затвора: 3.5нКл
  • Входная емкость: 290пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
  • Вес брутто: 0.07 г

Транзистор IRLML6246TRPBF от Infineon Technologies идеально подходит для применения в различных схемах управления и коммутации, таких как импульсные источники питания, усилители мощности, контроллеры двигателей, реле, ключи и многое другое. Благодаря своим компактным размерам и высоким характеристикам, этот компонент является отличным выбором для разработчиков, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные устройства.