IRLML6246TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3Вт, 4.1A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 4.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 46 мОм |
| Мощность макс.: | 1.3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.1В |
| Заряд затвора: | 3.5нКл |
| Входная емкость: | 290пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) |
| Вес брутто: | 0.07 г. |
| Наименование: | IRLML6246TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 1.3W 4.1A SOT-23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канальный IRLML6246TRPBF от компании Infineon Technologies. Этот компонент отличается превосходными характеристиками и широкими возможностями применения в современной электронике.
Транзистор IRLML6246TRPBF обладает максимальным напряжением сток-исток 20В, максимальным током стока 4.1А и сопротивлением открытого канала всего 46 мОм. Данные параметры обеспечивают эффективную коммутацию и управление мощными нагрузками. Кроме того, устройство имеет максимальную рассеиваемую мощность 1.3Вт, что делает его идеальным решением для широкого спектра применений.
- Напряжение исток-сток макс.: 20В
- Ток стока макс.: 4.1А
- Сопротивление открытого канала: 46 мОм
- Мощность макс.: 1.3Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В
- Заряд затвора: 3.5нКл
- Входная емкость: 290пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
- Вес брутто: 0.07 г
Транзистор IRLML6246TRPBF от Infineon Technologies идеально подходит для применения в различных схемах управления и коммутации, таких как импульсные источники питания, усилители мощности, контроллеры двигателей, реле, ключи и многое другое. Благодаря своим компактным размерам и высоким характеристикам, этот компонент является отличным выбором для разработчиков, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные устройства.