IRLML0060TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 1.25Вт, 0.092 Ом
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 2.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 92 мОм |
| Мощность макс.: | 1.25Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 2.5нКл |
| Входная емкость: | 290пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) |
| Вес брутто: | 0.04 г. |
| Наименование: | IRLML0060TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор IRLML0060TRPBF от компании Infineon Technologies. Это высокопроизводительный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для широкого спектра применений в современной электронике.
Данный транзистор отличается высокой надежностью, эффективностью и компактными размерами, что делает его оптимальным выбором для использования в различных схемах управления, коммутации и преобразования электрической энергии.
- Напряжение исток-сток макс.: 60В
- Ток стока макс.: 2.7A
- Сопротивление открытого канала: 92 мОм
- Мощность макс.: 1.25Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
- Заряд затвора: 2.5нКл
- Входная емкость: 290пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
- Вес брутто: 0.04 г
Транзистор IRLML0060TRPBF идеально подходит для использования в самых разнообразных схемах и устройствах, таких как импульсные источники питания, светодиодные драйверы, управление двигателями, коммутация нагрузок и многое другое. Его высокая надежность и эффективность делают его незаменимым компонентом в современной электронной промышленности.