IRFB11N50APBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А 170Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 500В |
| Ток стока макс.: | 11A |
| Сопротивление открытого канала: | 520 мОм |
| Мощность макс.: | 170Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 52нКл |
| Входная емкость: | 1423пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 Isolated Tab |
| Вес брутто: | 2.64 г. |
| Наименование: | IRFB11N50APBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
IRFB11N50APBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А 170Вт - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 520 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Vishay. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.