FDS6575, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 10 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 10A |
| Сопротивление открытого канала: | 13 мОм |
| Мощность макс.: | 1.2Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 74нКл |
| Входная емкость: | 4951пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | FDS6575 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 10A SO-8 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
FDS6575, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 10 А — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Нормоупаковка: 2500 шт.
- Описание Eng: MOSFET P-CH 20V 10A SO-8
- Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive
- Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 13 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: P-канал