IXTT6N120, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 6A TO-268
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | IXYS Corporation |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 1200В (1.2kВ) |
| Ток стока макс.: | 6A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 2.6 Ом @ 3А, 10В |
| Мощность макс.: | 300Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 56нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 1950пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IXTT6N120 |
| Производитель: | IXYS Corporation |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268 |
| Нормоупаковка: | 30 шт. |
| Корпус: | TO-268AA |
Описание
IXTT6N120, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 6A TO-268 - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 1200В (1.2kВ) Ток стока макс.: 6A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.6 Ом @ 3А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Производитель: IXYS Corporation. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.