Представляем вашему вниманию транзистор IRF6775MTRPBF от компании Infineon Technologies - высокопроизводительный полевой N-канальный MOSFET транзистор с напряжением сток-исток до 150В и током стока до 4.9А. Данная модель относится к категории одиночных MOSFET транзисторов и отличается высокой надёжностью, эффективностью и универсальностью применения.

Ключевые характеристики транзистора IRF6775MTRPBF:

• Напряжение исток-сток макс.: 150В
• Ток стока макс.: 4.9A
• Сопротивление открытого канала: 56 мОм
• Мощность макс.: 2.8Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5В
• Заряд затвора: 36нКл
• Входная емкость: 1411пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: DIRECTFET[тм] MZ
• Нормоупаковка: 4800 шт

Транзистор IRF6775MTRPBF находит широкое применение в различных электронных устройствах и системах: импульсных источниках питания, преобразователях напряжения, инверторах, сварочном оборудовании, промышленной автоматике и других областях, где требуются высокая мощность, надёжность и эффективность ключевых элементов. Благодаря оптимальному сочетанию ключевых параметров, данный транзистор является отличным выбором для разработчиков и инженеров, работающих над созданием современной высокопроизводительной электронной аппаратуры.