IRF6623TRPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 16 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 16A |
| Сопротивление открытого канала: | 5.7 мОм |
| Мощность макс.: | 1.4Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.2В |
| Заряд затвора: | 17нКл |
| Входная емкость: | 1360пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IRF6623TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4800 шт. |
| Корпус: | DIRECTFET[тм] ST |
Описание
Компонент IRF6623TRPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 16 А - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.