IRF7821PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 3.1Вт, 0.005 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 13.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 9.1 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 14нКл |
| Входная емкость: | 1010пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.16 г. |
| Наименование: | IRF7821PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 95 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
IRF7821PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 3.1Вт, 0.005 Ом - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.6A Сопротивление открытого канала: 9.1 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.