FQPF6N60C, Транзистор полевой N-канальный 600В 5.5А 40Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 5.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 2 Ом |
| Мощность макс.: | 40Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 20нКл |
| Входная емкость: | 810пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 2.88 г. |
| Наименование: | FQPF6N60C |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 600V 5.5A 40W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
FQPF6N60C, Транзистор полевой N-канальный 600В 5.5А 40Вт - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.